Диодный мост GBU1510 (1000V)
Описание
Корпус 4-SIP, GBU
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса GBU
Тип диода Single Phase
Обратное Напряжение (Макс) 1kV
Cреднее значение выпрямленного тока (Io) 15A
Прямое напряжение (Vf) (Макс) If 1V 7.5A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) 10µA 1000V
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса GBU
Тип диода Single Phase
Обратное Напряжение (Макс) 1kV
Cреднее значение выпрямленного тока (Io) 15A
Прямое напряжение (Vf) (Макс) If 1V 7.5A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) 10µA 1000V
