Транзистор 50JR22 (TO-3PN) Toshiba

Наименование: GT50JR22
Маркировка: 50JR22
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 230
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.2
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50
Максимальная температура перехода (Tj): 175
Время нарастания: 180
Тип корпуса: TO-3PN
Аналог (замена) для GT50JR22:
FGA50N100BNTD N-Channel 1000 1.5 50
FGA60N60UFD N-Channel 600 1.9 60
GT50JR22 N-Channel 230 600 2.2 25 50 175 180