Транзистор FSW 25N50A MOSFET TO-3PN
Описание
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 117 ns
Выходная емкость (Cd): 410 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.26 Ohm
Тип корпуса: TO3PN
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 117 ns
Выходная емкость (Cd): 410 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.26 Ohm
Тип корпуса: TO3PN